三星将会量产1GB容量FB-DIMM存储模组
三星的存储设备部说它将生产用于1GB的全缓冲DDR-2存储模组，这种存储模组将会改进服务器和工作站的带宽。
三星说，这种存储模组在提高内存总线速度的情况下，会降低每个信道的时隙存取速度，但是通过点对点的连接方式，FB DIMM 消除了信道的瓶颈，这就可以使多个存储模组并行连接到一个信道。三星还说，每个模组将有一个可产生3.2到4.8Gbps的速率存储缓冲芯片，这个速度是普通DRAM的六倍，三星说，明年上半年它将开始批量生产这种FB DIMM 存储模组。
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