著名的半导体厂商英飞凌（Infineon）于昨天宣布其完成了20nm非易失闪存芯片，这种芯片的尺寸仅是人头发丝的1/5000粗细。同时其宣布不用多久就可以完成32Gbits的存储能力。Infineon的这种闪存芯片采用了三维结构设计，因此来避免半导体的干扰问题。这种FinFETs结构中，氮化物作为存储电子的载体，而硅则成为门电极。其中一个电极阀的厚度仅为8nm，其完整是实现了对20nm门电极的控制。

    Infineon宣称如果采用现有的结构来设计这种产品需要把体积增加10倍，也就是说目前完成这个结构仅需要100个电子，而100个电子已经接近于金原子所对应的电子数了，这种结构会对今后的半导体业产生重要影响。